SDU-300 平台为包括半导体制造、材料科学和故障分析在内的一系列应用提供了灵活性。这些系统专为提高效率、可靠性和占用空间而设计和制造，可提供多种处理和等离子处理配置，以满足客户的要求。
SDU-300 RIE 反应离子蚀刻特点：
固态射频发生器和全自动网络匹配器，可实现快速且一致的刻蚀
全局域的工艺气体进气分布装置实现了均匀的气体分布
高抽气速率能够提供较宽的工艺气压窗口
晶圆冷却系统实现了更佳的晶圆温度控制
可刻蚀多种材料，包括：
介电材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
类金刚石（DLC）
